高新縱橫所投國(guó)產(chǎn)等離子體射頻電源系統(tǒng)龍頭企業(yè)——恒運(yùn)昌科創(chuàng)板成功過會(huì)
發(fā)布時(shí)間:2025-11-17 瀏覽次數(shù)：1329 次
2025年11月14日，湖南高新縱橫資產(chǎn)經(jīng)營(yíng)有限公司高創(chuàng)鑫陽基金所投深圳市恒運(yùn)昌真空技術(shù)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱恒運(yùn)昌）的首發(fā)上市申請(qǐng)，獲上海證券交易所上市委員會(huì)審議通過.
恒運(yùn)昌作為國(guó)內(nèi)等離子體射頻電源系統(tǒng)領(lǐng)域的龍頭企業(yè)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、顯示面板等國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。該公司已成為國(guó)內(nèi)極少數(shù)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體級(jí)等離子體射頻電源系統(tǒng)量產(chǎn)的企業(yè)之一。
等離子體射頻電源系統(tǒng)技術(shù)壁壘高、研發(fā)投入大、周期長(zhǎng)，對(duì)生產(chǎn)過程的“精確復(fù)制”能力要求極高，導(dǎo)致該領(lǐng)域長(zhǎng)期依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率處于低位。據(jù)弗若斯特沙利文數(shù)據(jù)，2024年中國(guó)大陸在半導(dǎo)體用等離子體射頻電源系統(tǒng)方面的國(guó)產(chǎn)化率低于12%，屬于關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)中“卡脖子”問題較為突出的領(lǐng)域之一。
恒運(yùn)昌歷經(jīng)十余年持續(xù)技術(shù)攻關(guān)，相繼推出CSL、Bestda和Aspen三代產(chǎn)品系列，逐步打破美國(guó)企業(yè)MKS和AE在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)數(shù)十年的壟斷局面。其中，第二代Bestda系列產(chǎn)品可支持28納米制程，第三代Aspen系列更可適配7-14納米先進(jìn)制程，整體技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，有效填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)空白。
隨著本次成功過會(huì)，恒運(yùn)昌將借助資本市場(chǎng)進(jìn)一步強(qiáng)化研發(fā)與產(chǎn)能布局，助力我國(guó)半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備自主可控進(jìn)程加速推進(jìn)。
作者：陳植雄
一審：湯 璞
二審：龍朝霞
三審：章 濤
信息來源： 高新縱橫
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